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Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%.
Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques : - l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ; - la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende. Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance. Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils. Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator). La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac. Nitrure d'aluminium
Commentaire :
Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%.
Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques : - l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ; - la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende. Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance. Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils. Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator). La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac. Voir aussi
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Investigation of thermal and dielectric properties of epoxy baed hybrid composites for microelectronics applications / Alok Abrawal in INTERNATIONAL POLYMER PROCESSING, Vol. XXXIII, N° 4 (08/2018)
[article]
Titre : Investigation of thermal and dielectric properties of epoxy baed hybrid composites for microelectronics applications Type de document : texte imprimé Auteurs : Alok Abrawal, Auteur ; A. Sataphathy, Auteur Année de publication : 2018 Article en page(s) : p. 506-513 Note générale : Bibliogr. Langues : Anglais (eng) Catégories : Caractérisation
Charges (matériaux)
Diélectriques
Dilatation (thermodynamique)
Epoxydes
Matières plastiques dans les équipements électriques et électroniques
Microélectronique
Microsphères
Nitrure d'aluminiumLe nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%.
Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques :
- l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ;
- la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende.
Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.
Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils.
Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator).
La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac.
PermittivitéLa permittivité, plus précisément permittivité diélectrique, est une propriété physique qui décrit la réponse d'un milieu donné à un champ électrique appliqué.
C'est une propriété macroscopique, essentielle de l'électrostatique, ainsi que de l‘électrodynamique des milieux continus. Elle intervient dans de nombreux domaines, notamment dans l’étude de la propagation des ondes électromagnétiques, et en particulier la lumière visible et les ondes utilisées en radiodiffusion.
On la retrouve donc en optique, via l'indice de réfraction. Les lois gérant la réfraction et la réflexion de la lumière y font appel.
Thermocinétique
Transition vitreuse
VerreIndex. décimale : 668.4 Plastiques, vinyles Résumé : This study aims at exploring composite materials based on polymer matrix for microelectronics application. Materials used for such applications need to have added multifunctional properties. Up to now, a sole polymer or single filler-filled polymer composites is tough to satisfy the demand for more multifunctional properties, particularly to acquire high effective thermal conductivity and low-dielectric constant simultaneously. In this study, hybrid filler systems i.e. aluminum nitride of average particle size 60 to 70 micron and solid glass microspheres of 90 to 100 micron were incorporated into epoxy matrix in an attempt to reach a composite with such desired properties. By varying the volume fraction of fillers (5 to 25 % for aluminum nitride and 5 to 10 % for solid glass microspheres), a new kind of epoxy-matrix composite is fabricated on a laboratory scale by simple hand lay-up technique keeping in mind the fact that the future electronic packaging materials would possess high heat dissipation capability, high glass transition temperature, low coefficient of thermal expansion and low dielectric constant for appropriate functioning of the electronic substrate. In addition, the measured thermal conductivity is compared with calculated values obtained from the proposed mathematical model and found that they are in better agreement with the values obtained from the proposed correlation. Note de contenu : - MODEL FOR EFFECTIVE THERMAL CONDUCTIVITY FOR COMPOSITES
- EXPERIMENTAL DETAILS : Material considered - Composites fabrication - Characterization
- RESULTS AND DISCUSSION : Density - Effective thermal conductivity - Glass transition temperature - Coefficient of thermal expansion - Dielectric constantDOI : 10.3139/217.3520 En ligne : https://drive.google.com/file/d/1v9d16xAYlMMm6O0WrgKV_uK590acOsxM/view?usp=drive [...] Format de la ressource électronique : Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=30890
in INTERNATIONAL POLYMER PROCESSING > Vol. XXXIII, N° 4 (08/2018) . - p. 506-513[article]Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 20077 - Périodique Bibliothèque principale Documentaires Disponible Microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings / Ming Kong in JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH, Vol. 9, N° 2 (03/2012)
[article]
Titre : Microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings Type de document : texte imprimé Auteurs : Ming Kong, Auteur ; Wenji Zhao, Auteur ; Ying Wu, Auteur ; Bilong Huang, Auteur ; Geyang Li, Auteur Année de publication : 2012 Article en page(s) : p. 177-182 Note générale : Bibliogr. Langues : Américain (ame) Catégories : Anticorrosion
Dureté (matériaux)
Epitaxie
Nanotechnologie
Nitrure d'aluminiumLe nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%.
Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques :
- l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ;
- la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende.
Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.
Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils.
Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator).
La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac.
Revêtements multicouchesIndex. décimale : 667.9 Revêtements et enduits Résumé : The microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings with various SiO2 layer thicknesses were investigated using X-ray diffractometry, high-resolution transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, and nanoindentation. The results revealed that SiO2 formed wurtzite-typed hexagonal pseudo-crystal structures and grew epitaxially with AlN when its thickness was less than 0.6 nm. Meanwhile, the multilayer coatings yielded superhardness effect with a maximum hardness of 29.0 GPa. A minute increase in SiO2 thickness from 0.6 to 0.9 nm would decrease the hardness of the nanomultilayer coatings due to the formation of amorphous SiO2 and destruction of epitaxial structure. The high hardness of superhard coatings was sustained after high-temperature annealing treatment of up to 800°C. However, a further increase in annealing temperature to 900°C caused severe oxidation of AlN and thus degradation of coating’s hardness. Note de contenu : - Microstructure of nanomultilayer coatings
- Superhardness effect of nanomultilayer coatings
- High-temperature oxidation resistance of nanomultilayer coatingsDOI : 10.1007/s11998-009-9228-7 En ligne : https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11998-009-9228-7.pdf?pdf=button Format de la ressource électronique : Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=14369
in JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH > Vol. 9, N° 2 (03/2012) . - p. 177-182[article]Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 14096 - Périodique Bibliothèque principale Documentaires Disponible Propriétés mécaniques par indentation d’un film mince nanometrique de nitrure d’aluminium / Francine Roudet in MATERIAUX & TECHNIQUES, Vol. 103, N° 6 (2015)
[article]
Titre : Propriétés mécaniques par indentation d’un film mince nanometrique de nitrure d’aluminium Type de document : texte imprimé Auteurs : Francine Roudet, Auteur ; Didier Chicot, Auteur ; Xavier Decoopman, Auteur ; Alain Iost, Auteur ; Juan Bürgi, Auteur ; Javier Garcia Molleja, Auteur ; Jorge Feugeas, Auteur Année de publication : 2016 Article en page(s) : 9 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Catégories : Analyse mathématique
Couches minces -- Propriétés mécaniques
Indentation des matériaux
Nanoindentation
Nitrure d'aluminiumLe nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%.
Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques :
- l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ;
- la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende.
Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.
Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils.
Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator).
La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac.Index. décimale : 620.11 Matériaux (propriétés, résistance) Résumé : Les propriétés mécaniques des films minces sont généralement déterminées par nanoindentation pour éviter l’influence du substrat. En effet, nous savons que le substrat influence cette mesure dès lors que l’indenteur pénètre à plus de 10 % de l’épaisseur du film pour la dureté, ce chiffre pouvant être ramené à 1 % pour le module d’élasticité. Pour des films extrêmement minces pour lesquels la mesure directe des propriétés ne serait pas possible, l’application de modèles pour séparer la contribution du substrat de la mesure est alors nécessaire. Dans ce travail, la dureté et le module d’élasticité d’un film de nitrure d’aluminium de 250 nm d’épaisseur déposé par Magnetron Sputtering ont été déterminées par nanoindentation. Pour réduire l’influence de l’incertitude de l’épaisseur du film sur la détermination des propriétés mécaniques, nous proposons de masquer cette épaisseur dans les termes de lissage de plusieurs modèles et d’étudier leurs convergences. Concernant le module d’élasticité, nous avons observé que les valeurs suivaient une courbe typique en S entre deux asymptotes, une qui tend vers la valeur du module du film pour les très faibles profondeurs d’indentation et l’autre vers celle du substrat pour les plus fortes charges. Dans ces conditions, le modèle d’Antunes et al. utilisant le paramètre de Gao généralement utilisé dans de telles études, car ne faisant intervenir aucun coefficient de lissage, ne peut représenter correctement l’évolution des points expérimentaux. C’est pourquoi nous proposons d’utiliser une loi du type Avrami qui permet de bien prendre en compte ces deux tendances. Finalement, nous obtenons 10 GPa pour la dureté et 150 GPa pour le module d’élasticité en accord avec les données de la littérature. Note de contenu : - Matériau et techniques expérimentales
- Dureté du film
- Module d'élasticité du filmRéférence de l'article : 605 DOI : http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2015054 En ligne : http://www.mattech-journal.org/articles/mattech/pdf/2015/06/mt150055.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=25254
in MATERIAUX & TECHNIQUES > Vol. 103, N° 6 (2015) . - 9 p.[article]Réservation
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