Al2o3 films with Ni-based buffer layer prepared by plasma-ion assisted deposition on Cu substrate / Lixin Song in JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH, Vol. 3, N° 3 (07/2006)  

[article]  inJOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH > Vol. 3, N° 3 (07/2006) . - P. 237-240 Titre : Al2o3 films with Ni-based buffer layer prepared by plasma-ion assisted deposition on Cu substrate Type de document : texte imprimé Auteurs : Lixin Song, Auteur ; Lili Zhao, Auteur ; J. Wu, Auteur ; L. Wu, Auteur Année de publication : 2006 Article en page(s) : P. 237-240 Note générale : Bibliogr. Langues : Américain (ame) Catégories : Alumine Analyse spectrale Cristallographie Cuivre Diffusion -- Physique nucléaire Isolation électrique Microscopie à force atomique Nickel Le nickel est un élément chimique, de symbole Ni et de numéro atomique 28. Le nickel est un métal blanc argenté qui possède un éclat poli. Il fait partie du groupe du fer. C'est un métal ductile (malléable). On le trouve sous forme combinée au soufre dans la millérite, à l'arsenic dans la nickéline. Grâce à sa résistance à l'oxydation et à la corrosion, il est utilisé dans les pièces de monnaie, pour le plaquage du fer, du cuivre, du laiton, dans certaines combinaisons chimiques et dans certains alliages. Il est ferromagnétique, et est fréquemment accompagné de cobalt. Il est particulièrement apprécié pour les alliages qu'il forme. Projection au plasma Index. décimale : 667.9 Revêtements et enduits Résumé : In this study, Al2O3 films with an Ni-based buffer layer were prepared on a Cu substrate by plasma-ion assisted deposition (PIAD). The main purpose of this study is to develop a novel electrical insulating film to be used at high temperature. X-ray diffraction (XRD) spectra show the Al2O3 films prepared by this method are amorphous. The results of atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), and auger electron spectroscopy (AES) analyses reveal that the Al2O3 films perfectly adhere to the substrate through the buffer layer, no visible defects were observed, and no impurity from Ni or Cu was detected. The diffusion of Cu into the Al2O3 film at high temperature is suppressed. Al2O3 films with an Ni-based buffer layer exhibit excellent resistivity (>1010Ω·cm) even after experiencing a high temperature environment as high as 600°C 10 times. DOI : 10.1007/BF02774513 En ligne : https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2FBF02774513.pdf Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=3697 [article]

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