Chalcogénures pour le stockage de l'information : mémoires ioniques (CB-RAM) et mémoires à changement de phase (PC-RAM) / Andrea Piarristeguy in MATERIAUX & TECHNIQUES, Vol. 103, N° 4 (2015)  

[article]  inMATERIAUX & TECHNIQUES > Vol. 103, N° 4 (2015) . - 12 p. Titre : Chalcogénures pour le stockage de l'information : mémoires ioniques (CB-RAM) et mémoires à changement de phase (PC-RAM) Type de document : texte imprimé Auteurs : Andrea Piarristeguy, Auteur ; Annie Pradel, Auteur Année de publication : 2015 Article en page(s) : 12 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Catégories : Chalcogénures Conductivité ionique Evaporation Microscopie Transition de phase En physique, une transition de phase est une transformation du système étudié provoquée par la variation d'un paramètre extérieur particulier (température, champ magnétique...). Cette transition a lieu lorsque le paramètre atteint une valeur seuil (plancher ou plafond selon le sens de variation). La transformation est un changement des propriétés du système. Verre Index. décimale : 620.14 Céramique et matériaux voisins : brique, tuile, matériaux réfractaires, verre Résumé : Les verres chalcogénures possèdent des propriétés uniques qui permettent d’envisager leur utilisation pour le développement de mémoires électriques susceptibles de remplacer les mémoires flash actuelles. D’une part, les verres sulfures et séléniures « dopés » par des ions argent présentent une conductivité ionique élevée, propriété qui pourrait être mise à profit pour le développement de mémoires ioniques CB-RAM. D’autre part, la haute photosensibilité des tellurures – matériaux à changement de phase – a permis le succès du développement puis de la commercialisation de dispositifs pour le stockage optique de l’information (CD-RW, DVD-RW, BD). Ces dernières années, ces matériaux font l’objet d’intenses recherches pour le développement de mémoires électriques PC-RAM. L’objectif de cet article est d’apporter un éclairage sur ces matériaux et sur les mécanismes susceptibles d’expliquer les commutations électriques en leur sein. Dans le cas des mémoires ioniques CB-RAM, nous avons d’abord réalisé une caractérisation structurale et électrique du matériau actif Agx(Ge0,25Se0,75)100-x sous forme de verre massif. Puis nous avons procédé à une étude de la commutation électrique au sein de multi-couches minces Ag/Ge25Se75 par une méthode innovante : la microscopie à force atomique conductrice (C-AFM). Dans le cas des mémoires PC-RAM, une étude systématique de couches épaisses amorphes du système GexTe100−x a été effectuée afin d’établir une corrélation entre la structure et le vieillissement des couches. Référence de l'article : 402 DOI : http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2015041 En ligne : http://www.mattech-journal.org/articles/mattech/pdf/2015/04/mt150044.pdf Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=24808 [article]

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
17537	-	Périodique	Bibliothèque principale	Documentaires	Disponible

---

1 (1 - 1 / 1)