Chimie des solutions et semi-conducteurs / Daniel Lincot in L'ACTUALITE CHIMIQUE, N° 5 (05/1999)  

[article]  inL'ACTUALITE CHIMIQUE > N° 5 (05/1999) . - p. 23-30 Titre : Chimie des solutions et semi-conducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Lincot, Auteur Année de publication : 1999 Article en page(s) : p. 23-30 Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Catégories : Dépôt chimique en solution Electrochimie Epitaxie Photopiles Semiconducteurs Solutions (chimie) Index. décimale : 541.34 Solutions Résumé : Etching, surface treatments and synthesis of semiconductors from solutions are attracting a renewed attention due to their increasing utilization in the optoelectronic industry, as for instance for the fabrication of thin film solar cells based on CdTe or CuInSe2. Chemical deposition in solution and electrodeposition are emerging as a low cost, low temperature and large scale alternative to vapor phase deposition techniques for the elaboration of chalcogenide and oxides films. It is shown how solution chemistry concepts (complexation/precipitation, oxydo-reduction/precipitation) can provide a rational understanding of underlying growth mechanisms (CdS, CdTe, ZnO) and new routes for material synthesis. The fundamental role of the free energy of formation is pointed out to explain auto regulation processes of the composition observed during the growth and the high quality of the resulting films as illustrated by the possessibility of epitaxial growth at near room temperature. En ligne : https://new.societechimiquedefrance.fr/numero/chimie-des-solutions-et-semi-condu [...] Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=7566 [article]

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L'épitaxie des polymères conjugués semi-conducteurs / Martin Brinkmann in L'ACTUALITE CHIMIQUE, N° 326 (01/2009)  

[article]  inL'ACTUALITE CHIMIQUE > N° 326 (01/2009) . - p. 31-34 Titre : L'épitaxie des polymères conjugués semi-conducteurs : Une méthode simple pour préparer des matériaux organiques et hybrides, orientés et nanostructurés Type de document : texte imprimé Auteurs : Martin Brinkmann, Auteur Année de publication : 2009 Article en page(s) : p. 31-34 Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Catégories : Composites Conducteurs organiques Epitaxie Microscopie électronique en transmission Nanostructures Nanotechnologie Polymères conjugués Index. décimale : 668.9 Polymères Résumé : Les polymères conjugués semi-conducteurs sont largement exploités dans le domaine de l'électronique plastiques, en particulier pour l'élaboration de dispositifs tels les transistors à effet de champ et les cellules solaires organiques. Les propriétés de transport de charge de ces matériaux dépendent étroitement de leur mise en forme et en particulier de la possibilité de les orienter sous forme de films minces. L'épitaxie des polymères conjugués semi-conducteurs tels les ply(3-alkylthiophène)s régio-réguliers et certains polyfluorènes permet d'obtenir de films minces à la fois orientés et présentant une nanostructuration régulière périodique. Dans le cas des films orientés de polyfluorènes tels le poly(9,9-dioctyl-2,7-lfuorènediyl), le degré de cristallinité très important observé dans les films épitaxiés permet une analyse structurale poussée par diffraction électronique et modélisation moléculaire. Par ailleurs, il est possible de fabriquer des matériaux hybrides particulièrement adaptés à des applications dans le photovoltaïques organique, à partir de ce polymères épitaxiés en présence de nanoparticules de semi-conducteurs inorganiques du type CdSe. En ligne : https://new.societechimiquedefrance.fr/numero/lepitaxie-des-polymeres-conjugues- [...] Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=3498 [article]

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Microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings / Ming Kong in JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH, Vol. 9, N° 2 (03/2012)  

[article]  inJOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH > Vol. 9, N° 2 (03/2012) . - p. 177-182 Titre : Microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings Type de document : texte imprimé Auteurs : Ming Kong, Auteur ; Wenji Zhao, Auteur ; Ying Wu, Auteur ; Bilong Huang, Auteur ; Geyang Li, Auteur Année de publication : 2012 Article en page(s) : p. 177-182 Note générale : Bibliogr. Langues : Américain (ame) Catégories : Anticorrosion Dureté (matériaux) Epitaxie Nanotechnologie Nitrure d'aluminium Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur III-V à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et céramique qui offre la rare caractéristique d'associer à l'isolation électrique à une très grande conductivité thermique à température ambiante (allant de 25 à 319 W.m-1 .K-1 suivant sa microstructure et sa forme (monocristal), film mince, nanofil...). Il présente, de plus, une grande résistance à l'oxydation et à l'abrasion. Enfin, ce matériau présente des propriétés piézoélectriques intéressantes : un coefficient piézoélectrique d33 compris entre 3.48 et 5pm.V-19 et un coefficient de couplage électromécanique voisin de 7%. Le nitrure d'aluminium se rencontre sous deux structures cristallographiques : - l'une, hexagonale, est thermodynamiquement stable ; elle est de type wurtzite ; - la seconde, cubique est métastable ; elle est de type zinc-blende. Le nitrure d'aluminium trouve des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance. Actuellement, de nombreuses recherches sont menées pour produire des diodes électroluminescentes (LEDs) à émission UV utilisant du nitrure d'aluminium-gallium. En 2006, des chercheurs du laboratoire "Nippon Telegraph and Telephone" (NTT) au Japon ont rapporté la fabrication de diodes à base de nitrure d'aluminium atteignant des longueurs d'onde de l'ordre de 210 nm. La recherche se poursuit encore autour de ce matériau pour diminuer la longueur d'onde d'émission des LEDs notamment par l'introduction d'AlN sous la forme de nanofils. Le nitrure d'aluminium est aussi utilisé pour ces propriétés piézoélectriques. En effet, du fait de son module d'Young particulièrement élevé, il présente de hautes vitesses d'ondes acoustiques de l'ordre de 10 400 m/s. Cette caractéristique en fait un matériau de choix pour les filtres à onde acoustique de surface de type SAW (pour Surface Acoustic Wave) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume de type FBAR (pour Film Bulk Acoustic Wave Resonator). La synthèse peut se faire par nitruration directe de l'aluminium, ou par réduction de l'alumine en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac. Revêtements multicouches Index. décimale : 667.9 Revêtements et enduits Résumé : The microstructure, mechanical properties, and high-temperature oxidation resistance of AlN/SiO2 nanomultilayer coatings with various SiO2 layer thicknesses were investigated using X-ray diffractometry, high-resolution transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, and nanoindentation. The results revealed that SiO2 formed wurtzite-typed hexagonal pseudo-crystal structures and grew epitaxially with AlN when its thickness was less than 0.6 nm. Meanwhile, the multilayer coatings yielded superhardness effect with a maximum hardness of 29.0 GPa. A minute increase in SiO2 thickness from 0.6 to 0.9 nm would decrease the hardness of the nanomultilayer coatings due to the formation of amorphous SiO2 and destruction of epitaxial structure. The high hardness of superhard coatings was sustained after high-temperature annealing treatment of up to 800°C. However, a further increase in annealing temperature to 900°C caused severe oxidation of AlN and thus degradation of coating’s hardness. Note de contenu : - Microstructure of nanomultilayer coatings - Superhardness effect of nanomultilayer coatings - High-temperature oxidation resistance of nanomultilayer coatings DOI : 10.1007/s11998-009-9228-7 En ligne : https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11998-009-9228-7.pdf?pdf=button Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=14369 [article]

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