SiO2-like film deposited by plasma polymerization of HMDSO + O2 using repetitive high voltage pulses / C. Chaiwong in JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH, Vol. 17, N° 6 (11/2020)  

[article]  inJOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH > Vol. 17, N° 6 (11/2020) . - p. 1497-1503 Titre : SiO2-like film deposited by plasma polymerization of HMDSO + O2 using repetitive high voltage pulses Type de document : texte imprimé Auteurs : C. Chaiwong, Auteur ; A. Boonrang, Auteur Année de publication : 2020 Article en page(s) : p. 1497-1503 Note générale : Bibliogr. Langues : Américain (ame) Catégories : Dépôt chimique en phase vapeur Dioxyde de silicium Hexaméthyldisiloxane L'hexaméthyldisiloxane ou HMDS est un composé organique de formule semi-développée O[Si(CH3)3]2. C'est un liquide incolore et volatil qui est utilisé comme solvant et réactif. Il est issu de l'hydrolyse du chlorure de triméthylsilyle. Cette molécule est un prototype d'un éther silylique et peut être considérée comme une sous-unité du polydiméthylsiloxane. L'hexaméthyldisiloxane est principalement utilisé comme source du groupe fonctionnel triméthylsilyle, -Si(CH3)3 en synthèse organique. Par exemple, sous catalyse acide, il convertit les alcools et les acides carboxyliques en leur éther et ester triméthylsilyliques correspondants. Le HMDS est utilisé comme un étalon interne pour calibrer les déplacements chimiques en spectroscopie NMR 1H. Il est plus facile à manipuler car moins volatil que le tétraméthylsilane qui est l'étalon habituel et n'affiche aussi qu'un singulet proche de 0 ppm. Le HMDS a un pouvoir de solvatation encore plus bas que celui d'alcanes. Il est donc parfois employé pour cristalliser des composés très lipophiles. Impulsions haute tension répétitives Organosilicones Polymérisation sous plasma Index. décimale : 667.9 Revêtements et enduits Résumé : Surface properties of SiO2-like films deposited from plasma polymerization of HMDSO + O2 mixture have been investigated. Plasma of the gas mixture was produced using repetitive high voltage pulses at − 3 kV with varied frequency from 100 to 500 Hz. The films were characterized by means of atomic force spectroscopy, spectroscopic ellipsometry, contact angle measurement, and X-ray photoelectron spectroscopy. The film thickness increased linearly with the pulse frequency in the range of 100–400 Hz where the system was in energy-deficient domain. A further increase in the pulse frequency led to the monomer-deficient domain and the linear dependence of the deposition rate terminated. Refractive index of the films were similar to that of SiO2. Refractive index and extinction coefficient values suggested that the films had high density which is related to high fraction of suboxide structure. The total surface energy of the films was not significantly different when varied pulse frequency was used. The surface energy contained high polar component indicating that the polar Si–O groups were dominant in the structure. Note de contenu : - Atomic force microscopy - Ellipsometry measurements - Surface energy - X-ray photoelectron spectroscopy DOI : https://doi.org/10.1007/s11998-020-00369-6 En ligne : https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11998-020-00369-6.pdf Format de la ressource électronique : Pdf Permalink : https://e-campus.itech.fr/pmb/opac_css/index.php?lvl=notice_display&id=34955 [article]

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